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Fraunhofer-Gesellschaft
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Patent
Title

Halbleiterdiodenlaser

Other Title
Semiconductor diode laser
Abstract
Bei einem Halbleiterdiodenlaser mit einem verstaerkenden aktiven Teil (6) und einem vom Licht des aktiven Teil beaufschlagten passiven Teil (7) ist vorgesehen, dass die aus der Heizung durch die Stromquelle und die Kuehlung durch die Kopplungen mit dem Kuehlsockel (4) resultierenden Waermebilanzen beim Abstimmen des Lasers durch Veraendern des Speisestroms am Arbeitspunkt unterschiedliche Temperaturveraenderungen im passiven (7) und aktiven Teil (6) so bewirken, dass bei einem passiven Teil (7) in Gestalt eines DBR-Reflektors die Stromabstimmrate der DBR-Resonanzfrequenz kleiner oder gleich der Stromabstimmrate der Moden ist und dass bei einem breitbandigen passiven Teil die Stromabstimmrate der Moden des Gesamtresonators in etwa gleich der Stromabstimmrate der Verstaerkung ist.
Inventor(s)
Tacke, M.
Shani, Y.
Preier, H.M.
Link to:
Espacenet
Patent Number
1987-3737191
Publication Date
1990
Language
German
Fraunhofer-Institut für Physikalische Messtechnik IPM  
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