Verfahren zum Bipolar-Magnetronsputtern

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Magnetron-Sputtern mit mindestens zwei Magnetronquellen oder einer Magnetronquelle mit mindestens zwei auf unterschiedliche elektrische Potentiale bringbaren Teiltargets und mindestens einer Stromversorgungseinheit zur Erzeugung einer Spannung wechselnder Polaritaet, insbesondere einen Pulspaket-Generator, deren Pole mit mindestens je einer der Magnetronquellen oder Teiltargets elektrisch verbunden sind, bei dem die jeweils mindestens eine Magnetronquelle bzw. das jeweils mindestens eine Teiltarget in den mit dem negativem Pol der Stromversorgungseinheit verbundenen Phasen mit einer vorgebbaren, fuer eine optimale Zerstaeubung ausgewaehlten Staerke des Magnetfeldes beaufschlagt und in den mit dem positiven Pol der Stromversorgungseinheit verbundenen Phasen mit einem ebenfalls vorgebbaren, fuer die Ausbildung einer optimalen Struktur der abzuscheidenden Schichten ausgewaehlten Staerke des Magnetfeldes beaufschlagt wird und bei dem bei jeder durch die Stromversorgungseinheit bewirkten Umkehr der Polaritaet zeitlich synchronisiert auch die den Magnetronquellen bzw. Teiltargets zugeordneten Staerken der Magnetfelder umgeschaltet werden.

DE 10234862 A UPAB: 20040326 NOVELTY - Process for magnetron sputtering comprises impinging a magnetron source and/or partial target with a magnetic field selected for optimum sputtering in the phases connected to the negative pole of a current supply unit, and impinging with a magnetic field selected for forming an optimum structure of the layers deposited in the phases connected to the positive pole of the current supply unit. With each reversal of the polarity affected by the current supply unit, the magnetic field strength assigned to the magnetron source and/or partial target are reversed. USE - For depositing thin layers for coating glass, plastic films, metals, electrical components and other substrates. ADVANTAGE - Thin layers can be rapidly deposited. The energy input can be easily controlled.