Bauelement der integrierten Optik mit einer transparenten Elektrode aus CdO und Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements

Bauelement der integrierten Optik mit einer transparenten Elektrode aus CdO und Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements. Fuer die optische Nachrichtentechnik zeichnet sich der Einsatz monomodaler Systeme mit Wellenlaengen im 1,3 mym-Bereich ab. Hierfuer werden Bauelemente, elektronische und optische in monolithischer Integration, benoetigt. Fuer diesen Wellenlaengenbereich ist das InP-Materialsystem - InP, GaInAsP - besonders gut geeignet. CdO, das fuer diese Wellenlaengen transparent ist, bietet sich wegen seiner elektrischen Eigenschaften als Elektrodenmaterial an. Problematisch sind dabei CdO-InP Uebergaenge wegen z. B. zu geringer Barrierenhoehen. Die Erfindung schafft Abhilfe, indem eine transparente CdO-Elektrode nach Art eines oxidunterstuetzten Schottky-Kontaktes auf InP-Material aufgebaut wird. Hierzu ist eine Plasma-Oxidation, sodann eine die Stoechiometrie erhaltende Zerstaeubung des CdO und schliesslich eine Temperung durchzufuehren.

DE 3311511 A UPAB: 19930925 A component for integrated optics with a transparent CdO electrode is based on the InP material system, the transparent electrode being formed as an oxide-reinforced Schottky contact. The component is produced by depositing an electro-optically active n-layer on a substrate, effecting plasma oxidation, sputtering of a stoichiometric CdO layer and tempering. USE - The component is useful in optical communications and is esp. suited to wavelength regions of about 1.3 microns. 1/2