• English
  • Deutsch
  • Log In
    Password Login
    Research Outputs
    Fundings & Projects
    Researchers
    Institutes
    Statistics
Repository logo
Fraunhofer-Gesellschaft
  1. Home
  2. Fraunhofer-Gesellschaft
  3. Patente
  4. Infrarothalbleiterlaser
 
  • Details
Options
Patent
Title

Infrarothalbleiterlaser

Other Title
Infrared semiconductor laser used in gas spectrometry comprises an active zone made from a III-V material having a specified thermal refractive index gradient.
Abstract
Die Erfindung betrifft einen Infrarot-Halbleiterlaser mit mindestens einer aktiven Zone aus III-V-Material mit einem ersten thermischen Brechungsindexgradienten dn/dT und einem Lichtmodenbereich. Der Infrarot-Halbleiterlaser zeichnet sich dadurch aus, dass in dem Lichtmodenbereich ein Material mit einem zweiten thermischen Brechungsindexgradienten dn/dT vorgesehen ist, dessen Vorzeichen dem des ersten thermischen Brechungsindexgradienten entgegengesetzt ist und/oder der einen mindestens doppelt so hohen Betrag hat. Die Erfindung betrifft weiter ein Verfahren zur Herstellung eines Infrarot-Halbleiterlasers mit: Bildung mindestens einer aktiven Zone aus III-V-Material mit einem ersten thermischen Brechungsindexgradienten dn/dT und Bildung eines Wellenleiters mit einem Lichtmodenbereich. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass in dem Lichtmodenbereich ein Material mit einem zweiten thermischen Brechungsindexgradienten dn/dT angeordnet wird, dessen Vorzeichen dem des ersten thermischen Brechungsindexgradienten entgegengesetzt ist und/oder der einen mindestens doppelt so hohen Betrag hat. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Telekommunikations- sowie Spektroskopiesytemkomponente mit einem entsprechenden oder entsprechend herstellten Halbleiterlaser sowie ein Telekommunikations- und Spektroskopiesystem mit der jeweiligen Komponente.

; 

WO2004047244 A UPAB: 20040702 NOVELTY - Infrared semiconductor laser (1) comprises an active zone (2) made from a III-V material having a first thermal refractive index gradient dn/dT. A material (4) having a second thermal refractive index gradient dn/dT is provided in the light mode region (3) whose sign is opposite to that of the first thermal refractive index gradient and whose magnitude is twice as high. DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIMS are also included for the following: (1) process for the production of an infrared semiconductor laser; (2) telecommunications component containing the above laser, (3) telecommunications system containing the above component; (4) spectroscopic component containing the laser; and (5) spectroscopic system containing the spectroscopic component. USE - Used in gas spectrometry. ADVANTAGE - The optimum temperature dependency of the wavelength is achieved.
Inventor(s)
Lambrecht, A.
Link to Espacenet
http://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?DB=worldwide.espacenet.com&locale=en_EP&FT=D&CC=DE&NR=10254190A
Patent Number
2002-10254190
Publication Date
2004
Language
German
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
  • Cookie settings
  • Imprint
  • Privacy policy
  • Api
  • Contact
© 2024