• English
  • Deutsch
  • Log In
    Password Login
    Research Outputs
    Fundings & Projects
    Researchers
    Institutes
    Statistics
Repository logo
Fraunhofer-Gesellschaft
  1. Home
  2. Fraunhofer-Gesellschaft
  3. Patente
  4. Verfahren zum Verbinden einer Oberflaeche eines Halbleitersubstrats mit einer Oberflaeche eines Traegers
 
  • Details
Options
Patent
Title

Verfahren zum Verbinden einer Oberflaeche eines Halbleitersubstrats mit einer Oberflaeche eines Traegers

Other Title
Forming releasable bond between semiconductor substrate and support comprises using a triethoxysilylalkylamine adhesive.
Abstract
Ein Halbleitersubstrat wird mit einem Traeger abloesbar verbunden, indem eine Haftschicht, die ein Haftmittel auf Ethoxysilylbasis aufweist, auf einer Oberflaeche des Halbleitersubstrats oder einer Oberflaeche des Traegers aufgebracht wird. Das Halbleitersubstrat und der Traeger werden zusammengefuegt, so dass die Haftschicht zwischen dem Halbleitersubstrat und dem Traeger angeordnet ist. Daraufhin wird ein Aushaerten der Haftschicht durchgefuehrt, wodurch eine mechanische Verbindung zwischen dem Halbleitersubstrat und dem Traeger erzeugt wird.

; 

DE 10339998 B UPAB: 20050211 NOVELTY - Forming releasable bond between semiconductor substrate and support comprises coating the substrate and/or support with an adhesive comprising a triethoxysilylalkylamine, placing the substrate and support together so the adhesive is between them, hardening the adhesive, and releasing the substrate from the support. USE - For temporarily holding the semiconductor substrate in place for processing, e.g. rear side metallization. ADVANTAGE - The adhesive bond can withstand high temperatures while still being reversible.
Inventor(s)
Koethe, O.
Landesberger, C.
Link to Espacenet
http://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?DB=worldwide.espacenet.com&locale=en_EP&FT=D&CC=DE&NR=10339998A
Patent Number
2003-10339998
Publication Date
2005
Language
German
Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM  
  • Cookie settings
  • Imprint
  • Privacy policy
  • Api
  • Contact
© 2024