Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates in einem Plasma

Eine Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens zum Beschichten eines Substrates (18) in einem Plasma verfuegt ueber eine abgeschlossene Vakuumkammer (10) mit einer Anode (11). Eine Chargierplatte (16) fuer das zu beschichtende Substrat (18) ist als erste Kathode in raeumlicher Entfernung von der Anode (11) angeordnet. Eine Verfluechtigungselektrodenanordnung (40) aus der zu transportierenden nichtfluechtigen Substanz ist als eine zweite Kathode in raeumlicher Entfernung von der Anode (11) und von der Chargierplatte (16) in der Vakuumkammer (10) angeordnet. Weiterhin ist eine Entladungsspannungsquelle (24) zur Erzeugung einer Potentialdifferenz zwischen der Anode (11) und der ersten Kathode (16) und eine Verfluechtigungsspannungsquelle (44) zur Erzeugung einer Potentialdifferenz zwischen der Anode (11) und der zweiten Kathode (40) vorgesehen. Durch eine in die Vakuumkammer (10) muendende Reaktivgasleitung (32) wird ein Reaktivgas in die Vakuumkammer (10) eingeleitet. Durch eine Reakt ionsgas- und Traegergasleitung (52) ist ein Gasgemisch aus einem Reaktionsgas und einem Traegergas in die Vakuumkammer (10) derart einleitbar, dass die Verfluechtigungselektrodenanordnung (40) von dem Gasgemisch aus dem Reaktionsgas und dem Traegergas umspuelt ist.