Verfahren zum Herstellen eines semitransparenten Displays sowie ein semitransparentes Display

Die Erfindung betrifft ein semitransparentes Display sowie ein Verfahren zum Herstellen eines semitransparenten Displays mit den Verfahrensschritten:a) Bereitstellen eines SOI-Wafers (100), dessen Oberfläche mindestens einen Pixelbereich (109) und mindestens einen neben dem Pixelbereich (109) angeordneten Kontaktbereich (110) aufweist, wobei der SOI-Wafer (100) auf der Rückseite ein Silizium-Substrat (101) umfasst;b) Abscheiden mindestens einer, elektromagnetische Strahlung emittierenden Schicht (201) auf der Vorderseite des SOI-Wafers (100);c) Auftragen mindestens einer transparenten Deckschicht (202) oberhalb der mindestens einen, elektromagnetische Strahlung emittierenden Schicht (201)d) Befestigen eines Verdrahtungsträgers (501; 601) an dem Verbund, welcher mindestens umfasst, den SOI-Wafer (100), die elektromagnetische Strahlung emittierende Schicht (201) und die transparente Deckschicht (202), wobei vor dem Befestigen des Verdrahtungsträgers (501; 601) an dem Verbund, bestehend aus dem SOI-Wafer (100), der elektromagnetische Strahlung emittierenden Schicht (201) und der transparenten Deckschicht (202), das Silizium-Substrat (101) vom Verbund entfernt wird, wodurch ein Restverbund (301) entsteht und elektrisch leitfähige Verbindungen zwischen dem Kontaktbereich (110) des SOI-Wafers (100) und des Verdrahtungsträgers (501; 601) von der Rückseite des SOI-Wafers (100) her ausgebildet werden.