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Fraunhofer-Gesellschaft
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Patent
Title

Photovoltaische Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle mit einer zur Lichteinkopplung ausgebildeten Vorderseite, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Erzeugen einer Mehrzahl von Ausnehmungen in einem Halbleitersubstrat eines Basisdotierungstyps, B Erzeugen eines oder mehrerer Emitterbereiche eines Emitterdotierungstyps zumindest an der Vorderseite des Halbleitersubstrates, wobei der Emitterdotierungstyp entgegengesetzt zu dem Basisdotierungstyp ist, C Aufbringen einer elektrisch isolierenden Isolierungsschicht und D Erzeugen von metallischen Durchleitungsstrukturen in den Ausnehmungen, von mindestens einer metallischen Basiskontaktstruktur an der Rückseite der Solarzelle, welche elektrisch leitend mit dem Halbleitersubstrat in einem Basisdotierbereich ausgebildet wird,; von mindestens einer metallischen Vorderseitenkontaktstruktur an der Vorderseite der Solarzelle, welche elektrisch leitend mit dem Emitterbereich an der Vorderseite des Halbleitersubstrates ausgebildet wird und von mindestens einer Rückseitenkontaktstruktur an der Rückseite der Solarzelle, welche mit der Durchleitungskontaktstruktur elektrisch leitend verbunden ausgebildet wird.; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Verfahrensschritt B und/oder einem weiteren Verfahrensschritt zusätzlich in dem Halbleitersubstrat an den Wänden der Ausnehmungen jeweils ein sich von der Vorder- zur Rückseite erstreckender Durchleitungsemitterbereich des Emitterdotierungstyps ausgebildet wird, dass in Verfahrensschritt C die Isolierungsschicht die Rückseite des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls weitere zwischenliegende Zwischenschichten, bedeckend aufgebracht wird, dass in Verfahrensschritt D die Rückseitenkontaktstruktur auf die Isolierungsschicht, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, aufgebracht wird, derart,; dass die Rückseitenkontaktstruktur Bereiche des Halbleitersubstrates mit Basisdotierung erstreckt und in diesen Bereichen aufgrund der dazwischenliegenden Isolierungsschicht eine elektrische Isolierung zwischen Rückseitenkontaktstruktur und Halbleitersubstrat ausgebildet wird und die Basiskontaktstruktur auf die Isolierungsschicht, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, aufgebracht wird, derart, dass die Basiskontaktstruktur die Isolierungsschicht zumindest Bereichsweise durchdringt, so dass eine elektrisch leitende Verbindung zwischen Basiskontaktstruktur und Halbleitersubstrat erzeugt wird. Die Erfindung betrifft weiterhin eine photovoltaische Solarzelle.
Inventor(s)
Thaidigsmann, B.
Clement, Florian  
Biro, Daniel  
Wolf, Andreas  
Preu, Ralf  
Link to:
Espacenet
Patent Number
102010026960
Publication Date
2010
Language
German
Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE  
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