Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zwischen einem Kontaktgitter und einer Emitterschicht einer Silizumsolarzelle

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zwischen einem Kontaktgitter und einer Emitterschicht einer Siliziumsolarzelle, wobei in einem Behandlungsschritt unter Vorspannung und Beleuchtung der Siliziumsolarzelle ein Behandlungsstromfluss mit einer auf den Behandlungsausschnitt bezogenen Stromdichte von 200 A/cm2bis 20.000 A/cm2induziert wird. Aufgabe der Erfindung ist es, das Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zwischen einem Kontaktgitter und einer Emitterschicht einer Siliziumsolarzelle zu verbessern. Insbesondere soll bei der Durchführung des Verfahrens eine Quantifizierung der durch das Verfahren erreichten Verbesserung möglich sein. Weiterhin soll bei der Durchführung des Verfahrens eine mögliche Schädigung durch Anwendung ungünstiger Verfahrensparameter erkannt werden. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass vor und/oder nach dem Behandlungsschritt ein Messschritt ausgeführt wird und bei diesem Messschritt über eine Beleuchtung der sonnenzugewandten Seite der Siliziumsolarzellen und eine Vorspannung ein Messstromfluss mit einer Stromstärke von 1 mA/cm2bis 500 mA/cm2induziert wird und eine Stromstärke dieses Messstromflusses mit einem Strommessgerät erfasst und dem jeweiligen Messausschnitt zugeordnet abgespeichert wird und/oder dass während des Laserbehandlungsschrittes eine Stromstärke des Behandlungsstromflusses für zumindest einen Teil der beleuchteten Behandlungsausschnitte mit einem Strommessgerät erfasst und dem jeweiligen Behandlungsausschnitt zugeordnet abgespeichert wird.