Verfahren und Einrichtung zur ionengestuetzten Hochratebedampfung

Bei der ionengestuetzten Hochratebedampfung ist es zur Erzielung dichter Schichten erforderlich, genuegend Ionen mit ausreichend hoher Energie auf das Substrat zu leiten. Dazu ist ein Potentialgefaelle in Bedampfungsrichtung noetig, was durch die Nutzung verdampfernaher Bauteile als Anode erzeugt werden kann. Allerdings durchlaufen dabei nur in Anodennaehe erzeugte Ionen die gesamte Beschleunigungsstrecke. Erfindungsgemaess soll ein moeglichst hoher Anteil der Ionen bereits in Anodennaehe erzeugt werden. Durch den Einsatz von Hohlanoden als Gaseinlass in Verdampfernaehe erfolgt die Ionisierung ueberwiegend in der Naehe der Oeffnungen der Hohlanoden, wodurch die meisten Ionen die gesamte Beschleunigungsstrecke durchlaufen. Herstellung von Funktionsschichten fuer Verpackung, Abriebschutz, optische Schichtsysteme.

DE 10018639 C UPAB: 20010603 NOVELTY - Process for ion-promoted high rate vaporization of a substrate (1) comprises igniting a low voltage arc discharge between a plasma screen (9) on the substrate acting as a cathode and an anode (10). Gas is fed into a coating chamber through an anode formed as a hollow anode near to the vaporizer surface. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a device for carrying out the process comprising devices for holding and/or moving a substrate, a low voltage arc discharge for producing a plasma screen in front of the substrate and an anode close to the vaporizer surface. USE - For coating planar and bent substrates with conducting or electrically insulating materials in a high vacuum. ADVANTAGE - The process has high productivity.