Verfahren und Anordnung zur strahlungsinduzierten Bestimmung der lokalen Verteilung von Verluststroemen bzw. Verlustleistung in Halbleiterbauelementen

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren sowie eine Anordnung zur Bestimmung der lokalen Verteilung von Verluststroemen bzw. Verlustleistung in Halbleiterbauelementen durch Erfassen und Auswerten von lokalen zeitlichen Temperaturaenderungen in Halbleiterbauelement. Bei dem Verfahren werden die Temperaturaenderungen durch Beaufschlagung des Halbleiterbauelements mit elektromagnetischer Strahlung induziert, deren Intensitaet und/oder spektrale Zusammensetzung mit einer definierten Zeitfunktion moduliert wird. Das Verfahren sowie die Anordnung ermoeglichen die Bestimmung der lokalen Verteilung von Verluststroemen bzw. Verlustleistung in optisch sensitiven Halbleiterbauelementen unter realen Betriebsbedingungen.

DE 10240060 A UPAB: 20040514 NOVELTY - Method for determination of local distributions of current or power losses in semiconductor elements by measurement and evaluation of local temporal temperature variation in optically sensitive semiconductor components by irradiating the components with electromagnetic radiation. Temperature variations are induced in the components by modulation of the intensity and or spectral composition of the radiation. DETAILED DESCRIPTION - The invention also relates to a corresponding arrangement for method implementation. USE - Measurement of local distribution of current or power losses in semiconductor elements, especially photo-diodes or solar cells. The method is used to detect crystal defects, impurities, short circuits and other defects causing localized increased or reduced power loss. ADVANTAGE - Use of radiation induced heating rather than current or voltage induced heating of the components means that the results of the measurement more accurately represent real operating conditions.