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Patent
Title
Verfahren zum Materialabtrag an Festkoerpern und dessen Verwendung
Other Title
Process to recover high-purity silicon material from laser etching in polycrystalline form
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Materialabtrag an Festkoerpern, insbesondere zum Mikrostrukturieren und Schneiden, mittels Fluessigkeitsstrahl-gefuehrtem Laseraetzen, wobei das abgetragene Material ebenso wie nicht-abreagierte Aetzkomponenten in hohem Umfang rezykliert werden. Auf diese Weise kann das Silicium in hoher Reinheit entweder polykristallin zurueckgewonnen werden oder in derselben Prozesskette epitaktisch auf anderen Substraten abgeschieden werden.
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WO 2007085454 A1 UPAB: 20070919 NOVELTY - A combined laser/fluid etching process applied to high-purity silicon wafer material. The fluid contains a halogen agent and removes liberated high-purity silicon wafer material. In a process to recover the silicon, the fluid is distilled, condensed and recovered in polycrystalline form or by deposit on another substrate. In a final stage, halogens are driven from the recovered solids. USE - Process to recover high-purity silicon material from laser etching process. ADVANTAGE - The process avoids crystal damage in the high-value material. Further claimed is that the process increases the recovery rate in comparison with prior art.
Inventor(s)
Mayer, K.
Kray, D.
Kolbesen, B.O.
Link to:
Patent Number
102006003608
Publication Date
2007
Language
German