Verfahren zur Präparation eines Germaniumsubstrats und Germaniumsubstratstruktur für ein epitaktisches Aufwachsen einer Germaniumschicht

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Präparation eines Germaniumsubstrats für ein epitaktisches Aufwachsen einer Germaniumschicht, mit den Verfahrensschritten:A. Bereitstellen eines Germaniumsubstrats mit einer Bearbeitungsseite und einer der Bearbeitungsseite gegenüberliegenden Rückseite und elektrochemisches Ätzen zumindest der Bearbeitungsseite des Germaniumsubstrats mit zumindest den Ätzschritten:A.1 Ätzen der Bearbeitungsseite, wobei die Bearbeitungsseite alternierend in einem Anodenpuls als Anode und in einem Kathodenpuls als Kathode polarisiert wird,A.2 Passivieren der Bearbeitungsseite des Germaniumsubstrats, wobei die Bearbeitungsseite als Kathode polarisiert wird;A.3 Ätzen der Bearbeitungsseite, wobei die Bearbeitungsseite alternierend in einem Anodenpuls als Anode und in einem Kathodenpuls als Kathode polarisiert wird;B. Reorganisieren der Bearbeitungsseite, wobei eine Erwärmung des Germaniumsubstrats auf eine Temperatur größer 500°C erfolgt.Die Erfindung betrifft weiterhin eine Germaniumsubstratstruktur.