Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT), Transistoranordnung, Verfahren zum Steuern eines HEMTs und Verfahren zum Herstellen eines HEMTs

Es wird ein Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (engl. High-Electron-Mobility-Transistor, HEMT) mit einer ersten Schicht und einer zweiten Schicht beschrieben. Die erste Schicht weist ein erstes Material aus einer ersten Nitrid-Verbindung auf. Die erste Nitrid-Verbindung weist ein Gruppe-III-Elemente auf. Die zweite Schicht weist ein zweites Material aus einer zweiten Nitrid-Verbindung auf. Die zweite Nitrid-Verbindung weist ein Gruppe-III-Element auf. Eine Hauptoberfläche der zweiten Schicht ist einer Hauptoberfläche der ersten Schicht gegenüberliegend angeordnet, so dass sich entlang der Hauptoberfläche der zweiten Schicht eine Ladungszone ausbildet. Der HEMT weist ferner eine Gate-Elektrode auf, die der zweiten Schicht zumindest bereichsweise gegenüberliegend angeordnet ist, so dass die zweite Schicht zwischen der ersten Schicht und der Gate-Elektrode angeordnet ist. Ferner weist der HEMT eine dritte Schicht auf, die zwischen der Gate-Elektrode und der zweiten Schicht angeordnet ist. Die dritte Schicht weist ein ferroelektrisches drittes Material aus einer dritten Nitrid-Verbindung auf oder ein ferroelektrisches drittes Material aus einer Oxid-Verbindung, welche Zink beinhaltet, auf.