Verfahren zur Präzisionsbearbeitung von Substraten und dessen Verwendung

(A1) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Praezisionsbearbeitung von Substraten, insbesondere zur Mikrostrukturierung von duennen Schichten, der lokalen Dotierstoffeinbringung sowie der lokalen Aufbringung einer Metallkeimschicht, bei dem ein fluessigkeitsunterstuetzter Laser, d. h. eine Laserbestrahlung eines Substrats, das in den zu bearbeitenden Bereichen von einer geeigneten reaktiven Fluessigkeit bedeckt ist, durchgefuehrt wird.

WO 2008107194 A2 UPAB: 20080930 NOVELTY - In a precision process to modify the microstructure of a thin layer for the local introduction of doping agents and local application of a seed layer, the surface is coated with a reactive fluid and laser-irradiated. USE - Process for the manufacture of solar cell silicon wafers. ADVANTAGE - The process is simpler and the process stages can be conducted with greater precision than prior art.