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Patent
Title
Verfahren zur Herstellung eines optischen MxN-Schalters
Other Title
Production of an optical M x N switch used in telecommunications comprises forming recesses in the surface of a first substrate, forming protrusions in the surface of a second substrate, further processing, and joining the substrates.
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optischen MxN-Schalters, bei dem zwei Master-Substrate mit Erhoehungen bzw. Vertiefungen in ihren Oberflaechen erzeugt werden, die komplementaer zueinander liegen und ebene Seitenwandungen aufweisen. Die Erhebungen bzw. Vertiefungen werden derart mit Techniken der Mikrosystemtechnologie gefertigt, dass beim Zusammenfuegen der komplementaer strukturierten Oberflaechen der beiden Substrate zwischen gegenueberliegenden Seitenwandungen eine schmale Kammer gebildet wird. Anschliessend werden die beiden Master-Substrate in Glas oder ein glasartiges Material abgeformt. Auf die Seitenwandungen der abgeformten Schichten werden Elektroden aufgebracht. Anschliessend wird in die Vertiefungen ein Fluessigkristallmaterial eingefuellt und die beiden abgeformten Schichten werden miteinander verbunden, so dass einzelne Fluessigkristallkammern in der zusammengefuegten Struktur entstehen, die als schaltbare Reflexionsflaechen fuer eintreffende Lichtbuendel dienen. Das vorliegende Verfahren ermoeglicht die miniaturisierte Herstellung eines MxN-Schalters mit Verfahren der Mikrosystemtechnologie. Durch Einsatz von Halbleitersubstraten als Master-Substrate lassen sich Reflexionsflaechen mit hoher optischer Qualitaet erzeugen.
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DE 10148276 C UPAB: 20030505 NOVELTY - Production of an optical M x N switch comprises preparing a first substrate (1) made from a single crystalline semiconductor material; forming recesses each having a planar side wall in the surface of the first substrate; preparing a second substrate (2) made from a single crystalline semiconductor material; forming protrusions each having a planar side wall in the surface of the second substrate; applying an electrically conducting layer permeable for IR radiation on the side walls of the recesses and protrusions; forming a metallization to contact the electrically conducting layers on the surface of the substrate; introducing fluids (9) into the recesses to fill an intermediate space between the substrates; and joining the substrates. DETAILED DESCRIPTION - Preferred Features: The fluids are made from a liquid crystal material. The electrically conducting layer is formed by sputtering an indium tin oxide on the side walls. The fluids are introduced into the recesses by pipetting. USE - Used in telecommunications for switching an IR light bundle. ADVANTAGE - The switch has high optical quality.
Inventor(s)
Janes, J.
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Patent Number
2001-10148276
Publication Date
2003
Language
German