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Patent
Title
Verfahren zur Erzeugung eines duennen Films eines Perowskit-Materials
Other Title
Pulsed laser growth of multicomponent cpd. contg. volatile component - using target contg. stoichiometric amt. of prod. and 2nd target contg. cpd. of volatile component, used for potassium tantalate niobate.
Abstract
Epitaktisches Wachstum von Filmen aus mehr oder weniger komplexen Perowskit-Materialien soll mit einer homogenen Ablagerung der Material-Komponenten in stoechiometrischer Zusammensetzung herbeigefuegt werden (ABX<-3 -Kristallstruktur). Es werden dazu zwei abzutragende Stoffgemische bereitgestellt, von denen eines aus mindestens zwei der Komponenten fuer die Position A und/oder B und/oder X besteht und das andere die leichter fluechtige Komponente fuer die Position A bzw. B enthaelt. Beide Stoffgemische werden quasi-simultan abgetragen, d. h. es erfolgt eine Kompensation bezueglich der leichter fluechtigen Komponente. Beide Stoffgemische koennen als Sektoren (42, 44) eines Targets (32) an einem drehbaren Targethalter (30) befestigt sein und alternierend durch einen gepulsten Laserstrahl abgetragen werden. Zu den Materialien mit ABX<-3 -Kristallstruktur gehoeren insbesondere Ferroelektrika/Antiferroelektrika mit Piezo-/Waerme-/opto-elektrischen Eigenschaften und auch Hochtemperatur-Supraleiter.
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US 5145713 A UPAB: 19931114 Thin films comprising three components of which the third is the most volatile are grown either using (A) a 1st target contg. stoichiometric amts. of the two less volatile components and a 2nd target comprising a multi-species cpd. contg. the volatile component or (B) a 1st target contg. stoichiometric amts. of the three components and a 2nd target of a multi-species cpd. contg. the volatile component; the required stoichiometries do not include oxygen content of the prod.. The targets are irradiated in turn with energy so as to evaporate the components and deposit them as a thin film on an adjacent substrate. In the prepn. of a thin film of KTaxNb1-xO3 (x = 0-1), the 1st target has the compsn. KTaxNb1-x and the 2nd target contains a stable K cpd. which is pref. KNO3, K2CO3, K2O, K3N or KOH and which is homogeneous and at least partly crystalline. ADVANTAGE - In the growth of epitaxial thin films by pulsed-energy deposition or other sputtering methods, the provision of a 2nd target enables the required stoichiometry for the volatile component to be obtd. and avoids target roughening which occurs if a single target contg. excess of the volatile component is used. 1/3
Inventor(s)
Yilmaz, S.
Venkatesan, T.
Patent Number
1990-633407
Publication Date
1993
Language
German