Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, Halbleiterbauelement und Träger

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes (1) mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Wachstumssubstrates (2) mit einer ersten Seite (21) und einer gegenüberliegenden zweiten Seite (22); Herstellen von zumindest einem elektronischen Bauelement (3) durch Abscheiden und/oder Strukturieren von zumindest einer Schicht (35) auf der ersten Seite (21) des Wachstumssubstrates (2), wobei diese Schicht zumindest einen Verbindungshalbleiter enthält oder daraus besteht; Verbinden der der ersten Seite (21) des Wachstumssubstrates (2) gegenüberliegenden ersten Seite (31) des elektronischen Bauelementes (3) mit einem Träger (4); Entfernen des Wachstumssubstrates (2), wobei der Träger (4) zumindest eine Durchführung (44) und/oder zumindest eine Leiterbahn (45) aufweist, welche mit zumindest einem Anschlusskontakt (36) des elektronischen Bauelementes (3) verbunden ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein so hergestelltes Halbleiterbauelement und einen Träger mit einem solchen Halbleiterbauelement.

A method for producing a semiconductor device is provided. A growth substrate having a first side and an opposite second side is provided. At least one electronic component is produced by depositing and/or structuring at least one layer on the first side of the growth substrate, said layer containing or consisting of at least one compound semiconductor. The first side of the electronic component that is opposite the first side of the growth substrate is connected to a support. The growth substrate is removed. The support has at least one feed-through and/or at least one conductor track, which is connected to at least one terminal contact of the electronic component. Alternatively or in addition, a semiconductor device produced in this way and a support having such a semiconductor device may be provided.