Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkondensatoren unterschiedlicher Kapazitätswerte in einem Halbleitersubstrat

Bei einem Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkondensatoren unterschiedlicher Kapazitätswerte auf einem gemeinsamen Substrat wird zunächst ein teilprozessiertes Halbleitersubstrat als Halbzeug mit Lochstrukturen erzeugt und mit einer Schichtfolge aus einem Dielektrikum und einer elektrisch leitfähigen Schicht verfüllt - unabhängig von den später herzustellenden Halbleiterkondensatoren. Erst in einer zweiten Herstellungsphase erfolgt dann die Herstellung der Halbleiterkondensatoren unterschiedlicher Kapazitätswerte durch entsprechende Metallisierung und Strukturierung. Die Halbleiterkondensatoren werden anschließend entlang von Trennbereiche vereinzelt, durch die unterschiedliche Gruppen von Löchern bei der Herstellung des Halbzeugs voneinander getrennt wurden. Das Verfahren ermöglicht eine kostengünstigere Herstellung von Halbleiterkondensatoren unterschiedlicher Kapazitätswerte bei kleinen Stückzahlen in der Auftragsfertigung (Foundry-Prozess).