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Patent
Title
Feldeffekttransistor und Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors
Other Title
Field-effect transistor and process for the production of a field-effect transistor
Abstract
Bei einem Feldeffekttransistor werden nichtlegierte ohmsche Source-Drain-Kontakte (7, 8) ermoeglicht, indem die Kanalschicht (3) mit einem Lanthanid-Arsenid beschichtet wird, das als Kontakt vermittelnde Schicht (9) dient und mit einer sehr duennen, leitenden, monokristallinen, epitaktischen Gallium-Arsenid-Schicht (10) bedeckt ist, auf der Nickel (11) aufgedampft ist, wobei auf einen Legierungsschritt verzichtet wird.
Inventor(s)
Wennekers, P.
Patent Number
1988-3842863
Publication Date
1994
Language
German