Halbleiterstruktur für ein Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleiterstruktur

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterstruktur für ein Halbleiterbauelement, mit einer Halbleiterschicht (2) zum Ausbilden zumindest eines Halbleiterbauelementes, welche mittelbar auf einem Halbleitersubstrat (1) angeordnet ist. Wesentlich ist, dass zwischen Halbleitersubstrat (1) und Halbleiterschicht (2) ausgehend von dem Halbleitersubstrat (1) zumindest die folgenden Schichten in der Reihenfolge A, B ,C mit oder ohne Zwischenschaltung weiterer Schichten angeordnet sindA. eine hochporöse Schicht (3) mit einer Porosität größer 50% und einer Dicke im Bereich 0,1 µm bis 1 µm,B. eine funktionale Zwischenschicht (4) mit einer Porosität im Bereich 5% bis 90% und einer Dicke im Bereich 0,1 µm bis 5 µm, eine poröse Wachstumsvorlageschicht (5) mit einer Porosität kleiner 50% und einer Dicke im Bereich 0,5 µm bis 5 µm undC. eine geschlossene Wachstumsvorlageschicht (6) mit einer Porosität kleiner 5%, insbesondere kleiner 1% und einer Dicke im Bereich 1 nm bis 100 nm,wobei die geschlossene Wachstumsvorlageschicht (6) eine Gitterkonstante aufweist, welche um weniger als 10% von der Gitterkonstante der Halbleiterschicht (2) abweicht,dass das Halbleitersubstrat (1) und die Halbleiterschicht (2) eine um zumindest 1 Massenprozent abweichende stoffliche Zusammensatzung aufweisen, dass das Halbleitersubstrat (1) und die Halbleiterschicht (2) eine unterschiedliche Gitterkonstante aufweisen und dass Halbleitersubstrat (1) und Halbleiterschicht (2) über die dazwischenliegenden Schichten elektrisch leitend verbunden sind. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung solch einer Halbleiterstruktur.