MEMS mit hohem Aspektverhältnis

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur mit einer Kavität umfasst ein Bereitstellen eines Halbleitersubstrats, das ein Halbleitermaterial umfasst, ein Ausführen eines Ätzprozesses, um in dem Halbleitersubstrat eine Porenstruktur mit einer Vielzahl von Poren zu erzeugen; ein Oxidieren des Halbleitermaterials, so dass an Porenoberflächen der Vielzahl von Poren ein Halbleiteroxidmaterial entsteht, das benachbarte Poren der Porenstruktur verbindet; und ein Entfernern des Halbleiteroxidmaterials, so dass die benachbarten Poren miteinander verbunden werden, und so dass die Kavität in den verbundenen Poren entsteht.