Verfahren zur induktiven Messung eines Schichtwiderstandes einer in einen multikristallinen Halbleiterwafer eingebrachten Dotierungsschicht

(A1) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur induktiven Messung eines Schichtwiderstandes einer in einen multikristallinen Halbleiterwafer (1) eingebrachten Dotierungsschicht (2), insbesondere einer in einen multikristallinen Siliziumwafer eingebrachten Dotierungsschicht, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Bestimmen des Basisschichtwiderstandes RB des Halbleiterwafers (1) mittels einer induktiven Messmethode, B Bestimmen des Parallelschichtwiderstandes RP des Halbleiterwafers (1) mittels einer induktiven Messmethode, nachdem die Dotierungsschicht (2) eingebracht wurde, C Berechnen des Schichtwiderstandes RD der eingebrachten Dotierungsschicht (2) abhaengig von RB und RP. Wesentlich ist, dass der Verfahrensschritt A vor einbringen der Dotierungsschicht (2) und vor einer Behandlung des Halbleiterwafers (1), welche Potentialbarrieren an den Korngrenzen erzeugen kann, durchgefuehrt wird und/oder nach Einbringen der Dotierungsschicht (2) in den Halbleiterwafer (1) durchgefuehrt wird.

EP 2031650 A2 UPAB: 20090323 NOVELTY - The method involves determining base layer resistance of a semiconductor wafer e.g. multi-crystalline silicon wafer (1), by an inductive measuring method, before inserting a doping layer i.e. n-doped emitter (2) and before the treatment of the wafer that produces potential barriers of the wafer and/or after inserting the n-doped emitter in the wafer. Parallel layer resistance is determined by the inductive measuring method after the attachment of the n-doped emitter. Layer resistance of the attached n-doped emitter is evaluated depending on the base- and parallel layer resistances. USE - Method for inductive measurement of resistance of a doping layer i.e. n-doped emitter, in a multi-crystalline semiconductor wafer i.e. multi-crystalline silicon wafer (claimed) such as homogeneous p-doped multi-crystalline silicon wafer and homogeneous n-doped silicon wafer, during manufacture of a solar cell i.e. silicon solar cell. ADVANTAGE - The base layer resistance of the multi-crystalline silicon wafer is determined by the inductive measuring method before inserting the doping layer i.e. n-doped emitter and before treating the wafer that produces potential barriers of the wafer and/or after inserting the doping layer in the wafer, so that the potential barriers producing the measurement error or measuring artifacts are modified by the insertion of the doping layer, thus avoiding measuring artifacts during determination of the layer resistance of the doping layer in the wafer and falsification of the measurement results after the insertion of the doping layer while characterizing simple and inexpensive applicability of the method.