Hochreine, ionenfreie halbleitende Polythiopene, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung zur Herstellung elektronischer Bauelemente

Polythiophene sind als organische Materialien fuer die Herstellung elektronischer Bauelemente von Interesse; bekannte Herstellungsverfahren fuehren jedoch zu Verunreinigungen durch Metall- und Halogenidionen, die zu nicht reproduzierbaren Eigenschaften daraus hergestellter elektronischer Bauelemente fuehren. Es soll daher ein Verfahren zu deren Entfernung bereitgestellt werden. Das erfindungsgemaesse Verfahren umfasst die Stufen: (a) Behandeln von Polythiophen mit einer metallorganischen Verbindung in einem inerten Loesungsmittel und anschliessendes Isolieren des so behandelten Polythiophens; (b) Aufloesen des in der Stufe (a) erhaltenen Polythiophens in einem nicht wasserloeslichen organischen Loesungsmittel und inniges Kontaktieren der so erhaltenen Loesung (organische Phase) mit einer waessrigen Loesung eines Metallionenkomplexierungsmittels (waessrige Phase); (c) Trennen der waessrigen und der organischen Phase und Isolieren des hochreinen, ionenfreien Polythiophens aus der organischen Phase. Erfindungsgemaess wird ein hochreines, ionenfreies Polythiophen mit einem Gesamtgehalt an Halogenen von weniger als 100 ppm und einem Gesamtgehalt an Metallionen von weniger als 20 ppm bereitgestellt. Die erfindungsgemaessen Polythiophene eignen sich zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit reproduzierbaren Eigenschaften.

WO2004106403 A UPAB: 20050124 NOVELTY - Method for preparing high-purity, ion-free polythiophenes (I) comprises treating them with an organometallic compound (II) in inert solvent; separating treated (I); dissolving it in a non-aqueous organic solvent; intense mixing of the solution with an aqueous solution of metal ion complexing agent (III), then separating the organic phase and recovering purified (I) from it. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for (I) having total content of bromine below 100 ppm and total content of zinc, nickel and magnesium below 20 ppm. USE - (I) are organic semiconductors useful in preparation of electronic components, especially field effect transistors; diode structures; organic light-emitting diodes and photovoltaic cells. ADVANTAGE - The method eliminates ionic (halide and metal) impurities, so makes possible preparation of electronic components with reproducible properties, particularly improved long-term stability.