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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitern mittels Ionenimplantation
 
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Patent
Title

Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitern mittels Ionenimplantation

Other Title
Process and device for the doping of semiconductors by means of ion implantation
Inventor(s)
Ryssel, H.
Link to:
Espacenet
Patent Number
1978-2835121
Publication Date
1980
Language
German
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
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