Hochleistungsbauelement auf Basis von III-Nitrid-Verbindungshalbleitern, Zwischenerzeugnis und Verfahren zur Herstellung eines Hochleistungsbauelementes

Die Erfindung betrifft ein Hochleistungsbauelement (1) auf Basis von III-Nitrid-Verbindungshalbleitern, umfassend zumindest ein erstes, vertikales Transistor-Bauelement (2) und zumindest ein zweites Bauelement (10) mit einer lateralen Heterostruktur (11), wobei die laterale Heterostruktur (11) des zweiten Bauelements (10) auf einem Teilbereich (4) einer Oberfläche (3) des ersten, vertikalen Bauelementes (2) monolithisch mittels selektivem epitaktischem Überwachsens ausgebildet ist, wobei das zweite Bauelement (10) zumindest einen Transistor und optional weitere aktive und/oder passive Bauelemente umfasst. Weiter betrifft die Erfindung ein Zwischenerzeugnis (16) zur Herstellung eines Hochleistungsbauelementes (1) sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Hochleistungsbauelementes (1) auf Basis von III-Nitrid-Verbindungshalbleitern.