Feldeffekttransistor

Ein Feldeffekttransistor verfuegt ueber ein Substrat (1), auf dem eine undotierte Gallium-Arsenid-Schicht (2) aufgebracht ist. Als naechste Schicht folgt eine gut leitende Schicht (3) aus Erbium-Arsenid bzw. Ytterbium-Arsenid. Die vierte Schicht der Schichtenfolge besteht aus einer duennen undotierten Gallium-Arsenid-Schicht (4), auf der Metallstreifen (5, 6, 7) zur Bildung der Sourceelektrode, Gateelektrode und Drainelektrode aufgedampft sind.