Vorrichtung und Verfahren zur simultanen Mikrostrukturierung und Dotierung von Halbleitersubstraten

(A1) Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur simultanen Mikrostrukturierung und Dotierung von Halbleitersubstraten mit Bor, bei dem das Halbleitersubstrat mit einem in einem Fluessigkeitsstrahl angekoppelten Laserstrahl behandelt wird, wobei der Fluessigkeitsstrahl mindestens eine Borverbindung enthaelt. Verwendung findet das erfindungsgemaesse Verfahren im Bereich der Solarzellen-Technologie sowie in anderen Bereichen der Halbleiter-Technologie, in denen eine lokal begrenzte Bor-Dotierung eine Bedeutung hat.

WO 2010099862 A2 UPAB: 20100920 NOVELTY - Simultaneously microstructuring and doping a semiconductor substrate comprises directing a liquid jet containing a boron compound over the surface of the substrate while locally heating the surface with a laser beam. DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIMS are also included for: (1) 1-butyl-1-methylpyrrolidinium triboranate of formula (III); (2) 1-butyl-2,3-dimethylimidazolium triboranate of formula (IV); (3) apparatus for carrying out the above process, comprising a nozzle unit with a window for a laser beam, a laser source, a liquid supply for a boron compound, and a nozzle opening directed towards the surface of the substrate. (Structure III, page 21 and structure IV, page 22) USE - The process is especially useful in the manufacture of solar cells. ADVANTAGE - The process is simple and rapid and avoids the drawbacks of conventional borate doping, e.g. oxygen codiffusion, high process temperatures, need for etching masks. For the first time, an n-type solar cell can be produced on the basis of multicrystalline silicon.