Strukturierte Siliziumschicht für ein optoelektronisches Bauelement und optoelektronisches Bauelement

Es wird eine strukturierte Siliziumschicht (1) fuer ein optoelektronisches Bauelement angegeben wobei eine Grenzflaeche (2) der Siliziumschicht eine Vielzahl von Teilflaechen (3) aufweist die gegenuebert (1) geneigt sind die auf die Haupterstreckungsebene (4) der Siliziumschicht (1) projizierte Breite (b) der geneigten Teilflaechen (3) im Mittel mindestens 5 micro m betraegt die geneigten Teilflaechen (3) eine Nanostruktur (5) aufweisen und sich die Nanostruktur (5) bis in eine Tiefe zwischen 400 nm und 5 micro m in die Siliziumschicht (1) hinein erstreckt.

The layer (1) has a boundary surface (2) including partial surfaces (3) that are bent relative to a main extending plane (4) of the layer. Width (b) of the bent partial surfaces is 5 micrometer in average. The width is projected in the main extending plane of the layer. The bent partial surfaces exhibit a nano-structure (5) that is extended into the layer upto depth between 400 nanometer and 5 micrometer. The bent partial surfaces form V-shaped structures, trapezoidal structures or pyramid-shaped structures.