Vorrichtung und Verfahren zum anisotropen DRIE-ätzen mit Fluorgasmischung

Die Erfindung betrifft ein Ätzverfahren zum anisotropen Strukturieren eines Substrats (101) mittels reaktivem lonentiefenätzen (DRIE: deep reactive ion etching) mit mehreren abwechselnd aufeinander folgenden Ätzschritten und Passivierungsschritten. Erfindungsgemäß wird zum Ätzen eine Fluorgasmischung eingesetzt, die einen Anteil von mehr als 25% bis einschließlich 40% Fluor, einen Anteil von 1 % bis 50% Stickstoff und einen Anteil von 30% bis einschließlich 60% eines Edelgases aufweist. Die Erfindung betrifft außerdem die Verwendung einer solchen Fluorgasmischung sowie eine entsprechende Vorrichtung (300) zum Strukturieren eines Substrats (101, 302) mittels der erfindungsgemäßen Fluorgasmischung.

The invention relates to an etching method for the anisotropic structuring of a substrate (101) by means of deep reactive-ion etching (DRIE) with multiple interchangeably consecutive etching steps and passivation steps. According to the invention, a fluorine gas mixture is used for etching, which has a proportion of greater than 25% up to and including 40% fluorine, a proportion of 1% to 50% nitrogen and a proportion of 30% up to and including 60% of a noble gas. The invention also relates to the use of a fluorine gas mixture of this type, and to a corresponding device (300) for structuring a substrate (101, 302) by means of the fluorine gas mixture according to the invention.