Aetzloesung und Verfahren zur Strukturierung eines UBM-Schichtsystems

Die Erfindung betrifft eine Aetzloesung zum Aetzen eines Schichtsystems, welches mindestens eine Schicht aus Aluminium, mindestens eine Schicht aus Kupfer und mindestens eine dritte Schicht, ausgewaehlt aus Nickelvanadium, Nickel und deren Legierungen, die zwischen der mindestens einen Aluminiumschicht und der mindestens einen Kupferschicht angeordnet ist, aufweist, wobei die Loesung Phosphorsaeure, Salpetersaeure, deionisiertes Wasser und mindestens eine Halogenkomponente, die Halogenionen freisetzen kann, enthaelt oder aus diesen Komponenten besteht. Die beanspruchte Aetzloesung ist Basis fuer ein einstufiges Strukturierungsverfahren eines UBM-Schichtsystems, welches bei der Herstellung von Bauelementen, die mittels halbleitertechnologischer Verfahren gefertigt werden, verwendet wird.

DE 102006008261 A1 UPAB: 20071002 NOVELTY - An etching solution comprises an aluminum layer (1), a copper layer (2) and a layer selected from a nickel-vanadium layer (3), nickel and alloys of nickel, which are arranged between an aluminum layer and a copper layer. The solution contains phosphoric acid, nitric acid, de-ionized water and a halogen component, which releases halogen ions containing these components. The metal cation salts are selected, which are contained in the layer system. DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIMS are also included for the following: (1) the structuring of a layer system involves selecting layers from aluminum, copper, nickel vanadium, nickel and their alloys; and (2) an Under Bump Metallization stack. USE - Used for etching a layer system, semiconductor production and with the production of elements, which are manufactured by means of semiconductor-technological method (all claimed). ADVANTAGE - The etching solution comprises phosphoric acid, nitric acid, de-ionized water and a halogen component, which releases halogen ions containing these components, which are less reactive medium and disintegrates relatively slowly into water and hydrogen, and hence controls the concentration change of the etching solution.