Vorrichtung und Verfahren zur Ausbildung von Gradientenschichten auf Substraten in einer Vakuumkammer

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ausbildung von Gradientenschichten auf Substraten in einer Vakuumkammer, mit der die Gradientenschichten mit erhoehter Effektivitaet und reduzierter Restwelligkeit der Oberflaeche erhalten werden koennen. Die erfindungsgemaesse Loesung ist dabei so ausgestaltet, dass innerhalb der Vakuumkammer mindestens eine Plasmaquelle oder durch Verdampfung ein Teilchenstrom auf die Oberflaeche des zu beschichtenden Substrates gerichtet wird. Zwischen einer Teilchenquelle und dem Substrat ist eine Maske mit diskret angeordneten Durchbrechungen angeordnet. Die Maske weist eine konstante Dicke auf und kann mittels eines Antriebes entlang mindestens einer Achse oszillierend relativ zum Substrat in einer Ebene bewegt werden. Das Verhaeltnis der freien Querschnitte der diskret in der Maske vorhandenen Durchbrechungen und der dazwischen liegenden Stegflaechen veraendert sich pro Flaecheneinheit ueber die gesamte Flaeche oder auf Bereichen dieser Maske. Allein oder alternativ kann aber auch der Abstand zwischen der Oberflaeche des Substrates und der Maske ueber die gesamte Flaeche oder von Flaechenbereichen unterschiedlich gross sein.

US2004035363 A UPAB: 20040408 NOVELTY - The device has a mask (1) of constant thickness moved oscillatorily by a drive along one axis with respect to a substrate in a plane. The ratio of free cross-sections of perforations (2) present discretely in the mask and intermediate web surfaces of the mask per unit area is varied over the total surface or on areas of the mask. The distance between the substrate surface and mask is different in size over the total area. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a method for the formation of gradient layers on substrates in a vacuum chamber. USE - Used for forming gradient layers of X-ray optics unit on substrate in a vacuum chamber. ADVANTAGE - The relative movement of the mask and the substrate reduces the residual ripple evidently, thereby increasing the efficiency of the device.