• English
  • Deutsch
  • Log In
    Password Login
    Research Outputs
    Fundings & Projects
    Researchers
    Institutes
    Statistics
Repository logo
Fraunhofer-Gesellschaft
  1. Home
  2. Fraunhofer-Gesellschaft
  3. Patente
  4. Transistorschaltung
 
  • Details
Options
Patent
Title

Transistorschaltung

Abstract
Eine Transistorschaltung umfasst einen ersten Emitterfolgertransistor, dessen Emitter mit dem Kollektor eines ersten Stromquellentransistors verbunden ist, wobei die Basis des ersten Emitterfolgertransistors einen Eingang der Schaltung darstellt und die Basis des ersten Stromquellentransistors einen Referenzspannungseingang darstellt. Die Transistorschaltung umfasst ferner einen zweiten Emitterfolgertransistor, dessen Emitter mit dem Kollektor eines zweiten Stromquellentransistors verbunden ist, wobei der Emitter des ersten Stromquellentransistors und die Basis des zweiten Stromquellentransistors derart verschaltet sind, dass die Spannung an der Basis des zweiten Stromquellentransistors von der Spannung am Emitter des ersten Stromquellentransistors abhaengt. Alternativ zu den genannten Bipolartransistoren kann die erfindungsgemaesse Transistorschaltung ferner entsprechend verschaltete Feldeffekttransistoren aufweisen.
Inventor(s)
Sundermeyer, J.
Sauerer, J.
Link to:
Espacenet
Patent Number
2002-10245453
Publication Date
2004
Language
German
Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen IIS  
  • Cookie settings
  • Imprint
  • Privacy policy
  • Api
  • Contact
© 2024