Verfahren zur gleichzeitigen Rekristalisierung und Dotierung von Halbleiterschichten und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiterschichtsysteme

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur gleichzeitigen Rekristallisierung und Dotierung von Halbleiterschichten, insbesondere zur Herstellung von kristallinen Silicium-Duennschichtsolarzellen. In diesem Verfahren wird in einem ersten Schritt eine Substratbasisschicht 1 hergestellt, in einem darauf folgenden Schritt auf dieser ein mindestens eine dotierte Teilschicht aufweisendes Zwischenschichtsystem 2 abgeschieden, in einem darauf folgenden Schritt eine undotierte oder ebenfalls dotierte Absorberschicht 3 auf dem Zwischenschichtsystem 2 abgeschieden und in einem Rekristallisationsschritt die Absorberschicht 3 aufgeheizt, geschmolzen, abgekuehlt und getempert. In einer vorteilhaften Verfahrensmodifikation kann auch statt einer undotierten Capping-Schicht ein mindestens eine Teilschicht aufweisende Capping-Schichtsystem 4 auf der Absorberschicht 3 abgeschieden werden.

DE1004044709 A UPAB: 20060405 NOVELTY - Production of a doped semiconductor layer system comprises depositing an intermediate layer system (2) having partial layers on a substrate base layer (1), in which one of the partial layers is enriched with a first dopant of a first concentration, depositing a non-doped absorber layer (3a, 3b) or an absorber layer doped with a second dopant of a second concentration, heating the absorber layer in a re-crystallization step and cooling the melt produced. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a doped semiconductor layer system produced by the above process. USE - For electronic devices and thin layer solar cells (claimed). ADVANTAGE - The process is simple.