Verfahren zur Herstellung eines Duennschichtsystems durch Puls-Magnetron-Sputtern

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung eines Schichtsystems, das mindestens eine Einzelschicht aus einem vorgegebenen Material enthaelt und durch Puls-Magnetron-Sputtern auf einem Substrat (1) abgeschieden wird, bei dem mindestens eine Einzelschicht (2) aus in Wachstumsrichtung uebereinander liegenden Teilbereichen (2a, 2b, 2c) aufgebracht wird, derart, dass die Abscheidung solcher uebereinander liegender Teilbereiche (2a, 2b, 2c) der Einzelschicht (2) mit einem sich unterscheidenden Pulsmodus und/oder einem sich unterscheidenden Pulsverhaeltnis und/oder einer unterschiedlichen Anzahl von Einzelpulsen je Pulspaket und/oder unterschiedlichen Pulsdauer erfolgt.

DE 10327050 A UPAB: 20050126 NOVELTY - The method involves applying at least one individual layer (2) as sub-regions (2a-2c) lying one on the other in the growth direction so that the separation of such stacked sub-regions of the layer takes place with a different pulse mode and/or a different pulse ratio and/or a different number of individual pulses per pulse packet and/or different pulse duration. DETAILED DESCRIPTION - AN INDEPENDENT CLAIM is also included for the following: (1) a product consisting of a base body and a layer system applied in accordance with the inventive method. USE - For manufacturing a thin film system by pulse-magnetron sputtering. ADVANTAGE - Improved to achieve a very low degree of micro-roughness of the boundary surface between individual layers.