Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus amorphem Silizium-Karbid

Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus amorphem Silizium-Karbid, bei welchem die Prozesstemperatur moeglichst gering gehalten wird. Bei der Verwendung eines plasmaunterstuetzten Prozesses zur Materialabscheidung entsteht eine Schicht, die Wasserstoff enthaelt und unter einer Druckspannung steht. Da die Druckspannung zur Waferverbiegung und moeglicherweise zur Abloesung der Schicht fuehren kann, ist es vorteilhaft, in der Schicht eine moeglichst geringe Spannung einzustellen. Fuer die Verwendung als Membrane sollte die Schicht sogar unter einer geringen Zugspannung stehen. Bei dem erfindungsgemaessen Verfahren werden zur Reduzierung der Druckspannung Ionen in die Schicht implantiert und die Schicht anschliessend einer Temperaturbehandlung unterzogen. Mit Hilfe des Verfahrens werden beispielsweise Schichten fuer ultraduenne Membranen, zur Passivierung und als Fenster in der IC-Technik und der Mikromechanik hergestellt.