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Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM
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PublicationFeuchtediffusion in partikelgefüllten Epoxidharzen für die MikroelektronikPartikelgefüllte Epoxidharze finden weitverbreitet Einsatz für die Verkapselung mikroelektronischer Aufbauten und Systeme. Im Rahmen der vorliegenden Promotionsarbeit wurde die Wirkung unterschiedlicher mikro- und nanometer-skaliger Füllstoffe auf die Feuchtebarriereeigenschaften von zwei in der Mikroelektronik verwendeten Epoxidharzen systematisch untersucht. Neben der Charakterisierung der Epoxidharz-Füllstoff-Systeme wurden Messmethoden zur ein- und zweiseitigen Diffusion entwickelt, die es erlauben, Verkapselungsmaterialien anwendungsnah bezüglich ihrer Feuchtebarrierewirkung zu evaluieren. Das zur mathematischen Beschreibung der Diffusion in partikelgefüllten Polymeren entwickelte Modell, einer Kombination aus Fick.schem Diffusionsgesetz und Langmuir Isotherme, ermöglicht nun Vorhersagen der Barrierewirkung der Verkapselung in realen mikroelektronischen Systemen und damit auch eine Optimierung und Zuverlässigkeitssteigerung verkapselter Aufbauten.
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PublicationBewertung der Lebensdauer von Lotverbindungen unter Betrachtung des Fehlermechanismus ElektromigrationIn dieser Arbeit werden die überlagerten Fehlermechanismen innerhalb von Lotverbindungen zur Bewertung der Zuverlässigkeit bei Elektromigration untersucht und modelliert.
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PublicationEntwicklung und Aufbau einer Monitorstruktur für Lotkontakte bei kombinierter Belastung(Fraunhofer Verlag, 2010)Eckert, T.In dieser Arbeit wurde als neuartiges Werkzeug der Zustandsüberwachung elektronischer Systeme eine Monitorstruktur für Lotkontakte entworfen, aufgebaut und experimentell qualifiziert. Über diese Monitorstruktur kann der Zustand eines elektronischen Systems während des Betriebs in verschiedenen Stufen bewertet werden. Dafür wurde eine Vorgehensweise zu Modellierung der häufig gemeinsam auftretenden Lasten durch Temperaturwechsel und Vibration entwickelt.
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PublicationVerbindungstechnik höchster Zuverlässigkeit für optoelektronische Komponenten(Fraunhofer Verlag, 2009)Hutter, M.AuSn20-Lot eignet sich aufgrund seiner mechanischen und physikalischen Eigenschaften besonders gut für die Verbindungstechnik von optoelektronischen Komponenten, wenn höchste Zuverlässigkeit gefordert ist. Unter Nutzung galvanisch abgeschiedener Au/Sn-Lotbumps unterschiedlicher Größe werden die Phasenumwandlungen, die während des Umschmelz- bzw. Lötprozesses ablaufen, und die Reaktionen des Lotes mit verschiedenen Metallisierungen untersucht und beschrieben. Anhand einer modellhaften Darstellung eines optimierten Lötprozesses wird gezeigt, wie in Abhängigkeit der Bump- und Lötstellengeometrie die Flip-Chip-Verbindungstechnik durchzuführen ist, um eine hohe Ausbeute und unter Nutzung des Selbstjustagemechanismus. hohe Positioniergenauigkeiten zu erzielen.