Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM

Filters

1
5
5 5
Reset filters

Settings
Now showing 1 - 5 of 5
  • Patent
    Schmieroelueberwachungseinrichtung
    ( 1995)
    Haberger, K.
    ;
    Buchner, R.
    The description refers to a process for detecting the time for changing lubricating oils, in particular in heat engines. The invention is characterized by the fact that the parameters of pressure, temperature and viscosity of the lubricating oil are measured in situ, the measured values are fed to an evaluator, the actual state of the lubricating oil is determined from the measured values in the evaluator, the actual state is compared with a presettable reference state, and the deviation between the actual state and the reference state is displayed on a display device, and/or, if the actual state deviates from preset tolerance limits of the reference state, an alarm signal is generated.
  • Patent
    Vorrichtung zur Waermebehandlung der Oberflaeche eines Substrates, insbesondere zum Kristallisieren von polykristallinem oder amorphem Substratmaterial
    ( 1994)
    Haberger, K.
    ;
    Buchner, R.
    Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Waermebehandlung der Oberflaeche eines Substrates (5) und dadurch zur Aenderung der inneren Struktur des Substratmaterials im Bereich der Oberflaeche, insbesondere zum Kristallisieren von polykristallinem oder amorphem Halbleitermaterial im Rahmen der Herstellung dreidimensionaler integrierter Schaltungen. Um eine hohe Kristallisationsguete zu erreichen, wird gemaess der Erfindung vorgeschlagen, die Strahlung (2) eines Lasers (1) ueber eine zyklisch betaetigbare Umlenkeinrichtung, vorzugsweise ein rotierendes Polygonrad (3) mit verspiegelten Umlenkflaechen (4) zyklisch und zeilenfoermig ueber die Substratoberflaeche zu fuehren. Ausserdem wird noch eine Relativbewegung senkrecht zur zeilenfoermigen Bewegung des Laserstrahles zwischen dieser und dem Substrat (5) vorgenommen, so dass in einem Arbeitseingang auch grosse Substratflaechen, z. B. mit Halbleiterbauelementen zu versehende Schichten aus Polysilizium oder amorphem Silizium krist allisiert werden koennen.
  • Patent
    VERFAHREN ZUM DUENNAETZEN VON SUBSTRATEN
    ( 1994)
    Haberger, K.
    ;
    Buchner, R.
    ;
    Bollmann, D.
    In a process for the chemical thinning of etching substrates by means of chemical etchant, a predetermined thickness of a monocrystalline substrate with an undisturbed grating structure is retained by irradiating the substrate during the etching process by a radiation source with a beam impinging perpendicularly to the substrate surface, the substrate consisting of a material capable of absorbing the radiation, the wavelength of the main part of the beam being selected such that the absorption length of radiation in this wavelength in the substrate material is greater than the desired substrate thickness.
  • Patent
    Verfahren zum Herstellen einer Magnetfelderfassungsvorrichtung und danach hergestellte Magnetfelderfassungsvorrichtung
    ( 1993)
    Haberger, K.
    ;
    Buchner, R.
    A magnetic field sensing device incorporating a magnetic field sensor on a semiconductor substrate takes the form of a three-dimensional integrated circuit, which features a series of magnetic field sensors on an external element plane and circuits connected to the magnetic field sensors on an inner element plane.
  • Patent
    Verfahren zum Herstellen von dreidimensionalen mehrschichtigen integrierten Schaltungen mittels einer Keimziehmethode
    ( 1990)
    Buchner, R.
    ;
    Haberger, K.
    Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von mehrschichtigen integrierten Schaltungen mittels einer Keimziehmethode. Da sich bei der Verwendung einer solchen Keimziehmethode Stufen, Kanten und sonstige Unebenheiten auf der Oberflaeche einer ersten Schicht stoerend bei der Kristallisation einer darauf abgeschiedenen weiteren Schicht auswirken, wird gemaess der Erfindung vorgeschlagen, die erste Schicht in zwei Schritten so zu strukturieren, dass sich eine im wesentlichen plane Oberflaeche ergibt. Auf diese Oberflaeche kann dann Halbleitermaterial in polykristallinem oder amorphem Zustand abgeschieden und ausgehend von einem Keimziehgebiet kristallisiert werden. In dieser weiteren Schicht koennen dann weitere Bauelemente angelegt werden. Mit dem Verfahren gemaess der Erfindung koennen grossflaechige kristalline Bereiche mit Hilfe des Keimziehverfahrens erreicht werden.