Verfahren zum Herstellen von dreidimensionalen mehrschichtigen integrierten Schaltungen mittels einer Keimziehmethode

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von mehrschichtigen integrierten Schaltungen mittels einer Keimziehmethode. Da sich bei der Verwendung einer solchen Keimziehmethode Stufen, Kanten und sonstige Unebenheiten auf der Oberflaeche einer ersten Schicht stoerend bei der Kristallisation einer darauf abgeschiedenen weiteren Schicht auswirken, wird gemaess der Erfindung vorgeschlagen, die erste Schicht in zwei Schritten so zu strukturieren, dass sich eine im wesentlichen plane Oberflaeche ergibt. Auf diese Oberflaeche kann dann Halbleitermaterial in polykristallinem oder amorphem Zustand abgeschieden und ausgehend von einem Keimziehgebiet kristallisiert werden. In dieser weiteren Schicht koennen dann weitere Bauelemente angelegt werden. Mit dem Verfahren gemaess der Erfindung koennen grossflaechige kristalline Bereiche mit Hilfe des Keimziehverfahrens erreicht werden.