Rotationsschleifen von Saphirwafern

Monokristallines Saphir bietet aufgrund seiner Eigenschaften große Möglichkeiten für die schnell wachsenden Märkte der LED- und Mobilfunktechnologie. Gleichzeitig ist es aber auch ein extrem schwierig zu bearbeitendes Material. Hauptproblem bei der Herstellung und Prozessierung von Saphirwafern sind zum einen die im herkömmlichen Läppprozess verursachten Tiefenschädigungen, die im Front-End-Bereich den anschließenden Polierprozess verlängern, und zum anderen im Back-End-Bereich die erreichbare Substratdicke beim Dünnen limitieren. Bei einer globalen Betrachtung der Prozesskette wird deutlich, dass nicht eine technologische Verbesserung des Planläppprozesses, sondern ein Ersatz des Läppens durch das bei Silizium bereits erprobte Rotationsschleifen der Schlüssel zu einer schädigungsarmen und somit optimierten Bearbeitung der Waferoberfläche ist. Die Adaption des Rotationsschleifens für den Werkstoff Saphir wird am Fraunhofer IPT erforscht. Ziel ist die Erfassung und Kontrolle aller relevanten Prozessgrößen, um darüber diese Schleiftechnologie sicher zu beherrschen. Hierzu werden Möglichkeiten zur Implementierung von Kraft-und Temperatursensorik in Schleifwerkzeuge entwickelt.