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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Konzeption und Charakterisierung von Rippenwellenleiterlasern auf Si-Substrat basierend auf dem gitterangepassten Ga(NAsP)/(B)GaP-Materialsystem
 
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2012
Doctoral Thesis
Title

Konzeption und Charakterisierung von Rippenwellenleiterlasern auf Si-Substrat basierend auf dem gitterangepassten Ga(NAsP)/(B)GaP-Materialsystem

Abstract
Eines der Schlüsselelemente zur Realisierung von CMOS kompatiblen opto-elektronisch integrierten Schaltkreisen ist die Entwicklung eines Lasers auf Siliziumsubstrat, der die Möglichkeit zur optischen Datenübertragung auf Chip-zu-Chip-Ebene ermöglicht. Ein Weg einen solchen Laser umzusetzen, ist die Kombination der klassischen Siliziumtechnologie mit der der III-V-Verbindungshalbleiter. Im Rahmen dieser Arbeit werden daher auf dem neuartigen Ga(NAsP)-Materialsystem basierende Laserschichtfolgen analysiert. Optische und elektrische Materialeigenschaften der Halbleiterverbindungen BGaP und BGaAsP werden dabei mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten auf Si-Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschließend charakterisiert. Simulationen von Wellenleitereigenschaften der Rippenwellenleiter hinsichtlich optischer Verluste und thermischer Erwärmung dienen dabei dem Vergleich unterschiedlicher Laserschichtstrukturen.
Thesis Note
Zugl.: Freiburg/Brsg., Univ., Diss., 2012
Author(s)
Rogowsky, Stephan
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Person Involved
Ambacher, Oliver  
Publisher
Fraunhofer Verlag  
Publishing Place
Stuttgart
File(s)
Download (17.86 MB)
Rights
Use according to copyright law
DOI
10.24406/publica-fhg-279360
Language
German
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • Angewandte Forschung

  • applied research

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