Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM

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  • Patent
    Mikrobrennstoffzellensystem sowie Verfahren zu seiner Herstellung
    ( 2007)
    Hahn, R.
    ;
    Hebling, C.
    ;
    Schmitz, A.
  • Patent
    Lotdepottraeger
    ( 2007)
    Wolf, J.
    ;
    Chmiel, G.
    A solder storage carrier consists of metallic coating (12) on a substrate (11) with a mask (13) with openings (14) to receive the solder deposit (16). The coating consists of two layers of different material, the first (15) being a current-conducting layer (15) and the second (17) a non-wetting layer. The layer (15) is made of Cu (alloy) and the layer (17) of Ti (alloy). The cross-sectional area of the openings in the mask determine the max. cross-section of the solder deposits. By inverting the carrier over a substrate (21) to be coated, the solder deposits are transferred to produce the solder spots (22). USE - In selective coating of substrates to produce connection sites. ADVANTAGE - Enables the selective coating of large area substrates.
  • Patent
    Verfahren zur Herstellung eines Gegenstands mit mindestens zwei beweglichen Bauteilen
    ( 2006)
    Beck, J.
    ;
    Badstuebner, K.
    ;
    Ansorge, F.
    Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Gegenstandes mit mindestens zwei relativ zueinander beweglichen Bauteilen vorgeschlagen. Dabei wird von dem gesamten Gegenstand fuer ein Rapid-Prototyping- Verfahren Geometrie-Daten erstellt werden, wobei zwischen den beweglichen Bauteilen ein vorgegebener minimaler Abstand beruecksichtigt. Entsprechend den vorgegebenen Geometriedaten wird schichtweise ein erstes Material als Stuetzenmaterial und ein zweites Material als Bauteilematerial aufgebracht, wobei das Stuetzenmaterial Luecken einschliesslich derjenigen mit dem minimalen Abstand zwischen dem jeweiligen Bauteilematerial ausfuellt. Nach der Beendigung des schichtweisen Aufbaus wird das Stuetzenmaterial entfernt.
  • Patent
    Vorrichtung zur Konzentration von Licht, insbesondere von Sonnenlicht
    ( 2006)
    Ansorge, F.
    ;
    Wolter, J.
    ;
    Hanisch, H.
    ;
    Hoffschmidt, B.
    ;
    Reinl, M.
    Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Konzentration von einfallendem Licht, insbesondere von Sonnenlicht. Sie besteht aus mehreren nebeneinander angeordneten Reflektoreinheiten mit jeweils mindestens einer bewegbaren reflektierenden Oberflaeche und einer Antriebseinheit zur Bewegung der reflektierenden Oberflaeche und einer Steuereinheit, die mit den Antriebseinheiten verbunden und derart ausgebildet ist, dass sie die Antriebseinheiten in Abhaengigkeit des Lichteinfalls zur Konzentration des einfallenden Lichtes steuert. Die Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, dass die mindestens eine reflektierende Oberflaeche einer jeweiligen Reflektoreinheit eine Flaeche zwischen 10-8 m2 und 0,5 m2, insbesondere zwischen 10-8 m2 und 10-4 m2, aufweist und um mindestens 2 Achsen bewegbar ist und dass die Antriebseinheiten Mikroaktuatoren sind. Die Vorrichtung laesst sich gegenueber den bekannten solartechnischen Konzentratoren des Standes der Technik mit einem geringeren, auf die reflektierende Flaeche bezogenen, spezifischen Gewicht realisieren und ist kostenguenstiger herstellbar.
  • Patent
    Bauelement, insbesondere Wandverkleidung, und Verfahren zu dessen Herstellung
    ( 2006)
    Bauer, M.
    ;
    Uhlig, C.
    Es wird ein Bauelement (100), insbesondere fuer den Leichtbau, mit einer flaechigen Ausdehnung und zueinander benachbart angeordneten Hohlformelementen (11, 11A) beschrieben, die sich quer zur flaechigen Ausdehnung erstrecken, wobei die Hohlformelemente (11, 11A) jeweils eine durchgehend umlaufende Seitenwand (12) aufweisen und die zueinander benachbarten Hohlformelemente an ihren Seitenwaenden miteinander verbunden sind und wobei zwei Abstandsformteile (15, 16) vorgesehen sind, die sich parallel zur flaechigen Ausdehnung des Bauelements erstrecken und Anordnungen der Hohlformelemente (11, 11A) bilden, wobei jedes der Abstandsformteile (15, 16) eine Basisschicht (13, 14) aufweist, auf der die zu dem Abstandsformteil (15, 16) gehoerenden Hohlformelemente (11, 11A) mit gegenseitigen Abstaenden angeordnet sind und die Abstandsformteile (15, 16) mit entgegengesetzter Orientierung angeordnet sind, so dass die Hohlformelemente (11, 11A) des ersten Abstandsformteils (15) in Abstaende zwischen den Hohlformelementen (11, 11A) des zweiten Abstandsformteils (15) ragen. Es wird auch ein Verfahren zur Herstellung des Bauelements beschrieben.
  • Patent
    Verfahren zum Herstellen einer Leiterstruktur auf einem Substrat
    ( 2006)
    Koenig, M.
    ;
    Bock, K.
    Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Leiterstruktur auf einem Substrat, und insbesondere zum Herstellen von RFID-Label, werden zunaechst das leitfaehige Grundmaterial und das Substratmaterial bereitgestellt, ferner wird das leitfaehige Grundmaterial gestanzt, um eine Leiterstruktur und ein Restgrundmaterial zu erhalten. Die Leiterstruktur wird mit dem Substratmaterial verbunden und das Restgrundmaterial entfernt.
  • Patent
    Verdrahtungsverfahren fuer Halbleiter-Bauelemente zur Verhinderung von Produktpiraterie und Produktmanipulation, durch das Verfahren hergestelltes Halbleiter-Bauelement und Verwendung des Halbleiter-Bauelements in einer Chipkarte
    ( 2006)
    Ramm, P.
    ;
    Buchner, R.
    NOVELTY - A semiconductor device is produced by joining a device substrate to a second substrate before producing conductive structural elements on the device substrate free surface. DETAILED DESCRIPTION - Production of a semiconductor device with one or more conductive structural elements comprises (a) applying and structuring device layers (3-5) on a first substrate (1); (b) joining the first substrate surface to a second substrate (6); (c) producing the or each conductive structural element (12, 13) on the free surface of the first substrate while providing functional electrical contact between the structural element (13) and the device (3-5); and (d) fabricating the semiconductor device. INDEPENDENT CLAIMS are also included for semiconductor devices produced by the above process. USE - The semiconductor device is used in a chip card (claimed), especially as a metallized semiconductor circuit structure produced by CMOS-compatible standard semiconductor technology. ADVANTAGE - The pr ocess permits the circuit complexity to be increased for increasing the difficulty of reverse engineering for unauthorized read-out and/or manipulation of information stored in the device, without reducing the integration density or excessively increasing process costs. Additionally, the process allows protection of the device against the environment.
  • Patent
    Verfahren zur Erfassung von lokalen Eigenspannungen in Festkoerperobjekten mit einer Ionenstrahltechnik
    ( 2006)
    Auersperg, J.
    ;
    Lieske, D.
    ;
    Keller, J.
    ;
    Vogel, D.
    ;
    Michel, B.
    ;
    Gollhardt, A.
    ;
    Dost, M.
    Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erfassung lokaler Eigenspannungen in Festkoerperobjekten, bei dem mit einem Ionenstrahl eine Materialmanipulation am Festkoerperobjekt vorgenommen wird, die zu einer lokalen Umverteilung von Spannungs- und/oder Dehnungsverhaeltnissen im Festkoerperobjekt fuehrt. Mit dem Ionenstrahl wird hierbei eine Struktur erzeugt, die in zumindest einer Dimension Abmessungen im Mikrometer- oder Nanobereich aufweist. Vor und nach der Materialmanipulation werden mikroskopische Aufnahmen des von der Materialmanipulation betroffenen Oberflaechenbereiches des Festkoerperobjektes gemacht. Aus einem Vergleich der Aufnahmen werden durch die Eigenspannungen verursachte Deformationsfelder an der Oberflaeche des Festkoerperobjektes bestimmt, aus denen die Eigenspannungen abgeleitet werden koennen. Das Verfahren ermoeglicht eine genaue Bestimmung lokaler Eigenspannungen im Mikro- und Nanobereich.
  • Patent
    Hybrider, organischer Feldeffekttransistor mit oberflaechenmodifiziertem Kupfer als Source- und Drain-Elektrode
    ( 2006)
    Burghart, M.
    ;
    Hammerl, E.
    Die Erfindung bezieht sich auf einen organischen Feldeffekttransistor sowie auf ein Herstellungsverfahren fuer einen solchen Feldeffekttransistor. Dieser weist eine Substratbasis 1, eine Gate-Elektrode 6 sowie eine Source- und eine Drain-Elektrode 2, 3 auf und ist dadurch gekennzeichnet, dass die Source-Elektrode 2 und die Drain-Elektrode 3 aus Kupfer bestehen und dass der an den organischen Halbleiterbereich 4 des Feldeffekttransistors angrenzende Elektrodenoberflaechenbereich 2b, 3b aus oberflaechenmodifiziertem Kupfer ausgebildet ist.