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  • Patent
    Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Ueberwachung von Ausfallprozessen
    ( 2009)
    Wittler, O.
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    Wunderle, B.
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    Mazloum Nejadari, S.
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    Schacht, R.
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    Michel, B.
    (A1) Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur thermischen Ueberwachung eines Gegenstandes 3, bei welchem eine durch die fortschreitende Beschaedigung des zu untersuchenden Gegenstandes 3 hervorgerufene Veraenderung des Antwortverhaltens einer oder mehrerer temperaturabhaengiger Messgroessen auf die Einpraegung eines definierten Heizimpulses 10 auf den Gegenstand untersucht wird. Hierbei wird der definierte Heizimpuls 10 durch elektrische Ansteuerung von Mitteln zur Waermeerzeugung 1, die an oder in dem Gegenstand 3 angeordnet sind, erzeugt und das Antwortverhalten auf das Aufbringen des definierten Heizimpulses an Mitteln zur Temperaturerfassung 2, die an oder in dem Gegenstand 3 angeordnet sind, ueber mindestens eine durch die Mittel zur Temperaturerfassung 2 erzeugte elektrische Messgroesse gemessen.
  • Patent
    Verfahren zur Erfassung von lokalen Eigenspannungen in Festkoerperobjekten mit einer Ionenstrahltechnik
    ( 2006)
    Auersperg, J.
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    Lieske, D.
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    Keller, J.
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    Vogel, D.
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    Michel, B.
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    Gollhardt, A.
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    Dost, M.
    Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erfassung lokaler Eigenspannungen in Festkoerperobjekten, bei dem mit einem Ionenstrahl eine Materialmanipulation am Festkoerperobjekt vorgenommen wird, die zu einer lokalen Umverteilung von Spannungs- und/oder Dehnungsverhaeltnissen im Festkoerperobjekt fuehrt. Mit dem Ionenstrahl wird hierbei eine Struktur erzeugt, die in zumindest einer Dimension Abmessungen im Mikrometer- oder Nanobereich aufweist. Vor und nach der Materialmanipulation werden mikroskopische Aufnahmen des von der Materialmanipulation betroffenen Oberflaechenbereiches des Festkoerperobjektes gemacht. Aus einem Vergleich der Aufnahmen werden durch die Eigenspannungen verursachte Deformationsfelder an der Oberflaeche des Festkoerperobjektes bestimmt, aus denen die Eigenspannungen abgeleitet werden koennen. Das Verfahren ermoeglicht eine genaue Bestimmung lokaler Eigenspannungen im Mikro- und Nanobereich.
  • Patent
    Verfahren zur feldmaessigen Bestimmung von Deformationszustaenden in mikroskopisch dimensionierten Prueflingsbereichen
    ( 1997)
    Kuehnert, R.
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    Schubert, A.
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    Dost, M.
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    Vogel, D.
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    Kaempfe, B.
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    Michel, B.
    The method uses digitised images as two dimensional image matrices with discrete pixel values, which are allocated a grey scale. The method includes the prodn. of one image (B1) of the specimen region (A) in a first condition, also a second digitised image (B2) of the specimen region (A) in a second condition, which differs from the first condition by deformation of the specimen. The displacement vector (V) of the local deformation is determined by comparing the first with the second image, so that an image as a reference image (B1) of a respective reference matrix (Si) is removed. The grey value content (g) within a search region (SB) allocated to each of the reference matrices (Si) is compared with the grey value content (g) of the comparison matrices (Sj) of the comparison image (B2). The displacement vector (V) related to each reference matrix (Si) is determined by the condition with the highest correlation coefficient (K). USE/ADVANTAGE - In microelectronic and microsystem technol ogy, assembly and connection engineering. Provides non-destructive determination of deformation fields. Gives high local resolution. Offers facility for digital image processing.
  • Patent
    Verfahren zur Bestimmung von Abstaenden zwischen einkristallinen Prueflingen und flaechenhaften Detektionseinrichtungen fuer Roentgenstrahlung
    ( 1997)
    Kaempfe, B.
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    Goldenbogen, S.
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    Michel, B.
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    Krause, F.
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    Diezko, R.H.
    The method involves irradiating the surface of the test object perpendicularly with a primary X-ray beam. The secondary X-rays diffracted by the object are detected by the detection device. The distance between the primary and secondary beams in the plane of the detection device is determined for secondary X-ray beams diffracted at different families of crystal structure main planes. After this the angle between the primary and secondary X-rays is determined for the different secondary X-ray beams and used to derive the distance between the test object and detection device. ADVANTAGE - Enables diffraction angles to be determined with accuracy required for detecting intrinsic voltage states and grid parameter changes.
  • Patent
    Verfahren zur Ermittlung von Materialkennwerten in mikroskopisch dimensionierten Prueflingsbereichen
    ( 1997)
    Dost, M.
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    Kaempfe, B.
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    Kuehnert, R.
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    Michel, B.
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    Traenkner, K.
    The method is carried out in steps, and includes determining the field distribution of the displacement vectors within the specimen region (A) also determining the material characteristic values (v,a) which represent a function of the displacement, from the determined field distribution of the displacement vectors. The method includes determining the field distribution of the displacement vectors using the processing of digitised images (B1,B2), resulting as two dimensional image matrices with discrete pixel values, which are allocated a grey value scale. A first digitised image (B1) of the specimen region (A) is produced in one condition. Additionally a second digitised image (B2) of the specimen region is produced in a second condition. This differs from the first condition by the deformation of the specimen (1). The determination of the displacement vectors of the local deformation results from comparison of the first with the second digitised image. ADVANTAGE - Values obtained by m easuring and evaluating deformation fields in microscopic surface regions of specimen.