Under CopyrightGutt, RichardRichardGutt2022-03-072024-02-2012.1.20132012https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/27948710.24406/publica-fhg-279487Im Rahmen dieser Dissertation werden die entscheidenden Schritte für die Realisierung hocheffizienter AlGaN-basierter Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich erarbeitet. Die Reduzierung der Versetzungsdichte bei der heteroepitaktischen Abscheidung der AlGaN-Schichten in Verbindung mit einer effektiven Abschirmung der Ladungsträger von den verbleibenden Versetzungslinien führt zu einer maßgeblichen Steigerung der strahlenden Ladungsträgerrekombination im aktiven Bereich. Da die Löcherleitung in p-dotierten AlGaN-Schichten fundamentalen Grenzen unterliegt, ist für eine hinreichende Ladungsträgerinjektion eine Optimierung des Heterostrukturdesigns und insbesondere der Positionierung der p-Dotierung in Bezug auf den aktiven Bereich notwendig. Die Lichtextraktion lässt sich in "flip-chip" aufgebauten LEDs durch eine Anpassung des Abstandes des reflektiven p-seitigen Metallkontaktes zum aktiven Bereich signifikant erhöhen. All diese Aspekte werden umfassend dargestellt - neben der systematischen Optimierung des Bauelementes wird dabei der physikalischen Beschreibung der zugrunde liegenden Mechanismen besondere Aufmerksamkeit geschenkt.deHalbleitertechnologieOptoelektronikdoctoral thesis