Diehl, R.R.Diehl2022-03-032022-03-031991https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/179819Hauptaktivität des im südbadischen Feiburg i.Br. gelegenen Fraunhofer-Instituts für Angewandte Festkörperphysik (IAF) ist die Forschung und Entwicklung auf dem Gebiet der integrierten mikro- und optoelektronischen Schaltungen im Materialsystem GaAs/AlGaAs/InGaAs. Im Fraunhofer-Verbund Mikroelektronik deckt es damit das Arbeitsgebiet der III-V-Halbleitertechnologie ab. Diese auf Galliumarsenid-(GaAs-) Substratwafern beruhende Technologie gilt heute als die Speerspitze der Mikroelektronik. Weitere Aktivitäten des Instituts betreffen die Wärmebildtechnik und die Technologie der Flüssigkristallanzeigen.de8mal8 MultiplierGaAs-ElektronikMSM-PhotodiodeOptoelektronik621667journal article