Belz, J.J.BelzBurbach, G.G.BurbachVogt, H.H.VogtZimmer, G.G.Zimmer2022-03-082022-03-081989https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/316342CMOS auf vergrabenem Isolator erlaubt Erhöhung der Packungsdichte, der Schaltgeschwindigkeit und der Immunität gegen ionisierende Strahlung. Durch Hochstromimplantation von Sauerstoff in Silizium entsteht eine nahezu ideale isolierte Siliziumschicht, in die direkt CMOS-Transistoren integriert werden.deIsolatorSIMOXSOI-CMOS621conference paper