1.54-micro m luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon.

Schneider, J.J.SchneiderPomrenke, G.G.PomrenkeAxmann, A.A.AxmannEnnen, H.H.Ennen2022-03-022022-03-021983https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/17157410.1063/1.94190enErbium(implantiert)GalliumarsenidGalliumphosphidIndiumphosphidKristallfeldaufsplitterungLinienbreiteLumineszenzSiliziumSpektrenSpinbahnaufspaltung6216671.54-micro m luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon.1.54 micro m Lumineszenz von Erbium implantierten III-V Halbleitern und Siliziumjournal article