Vertikale Verbindungshalbleiter-Struktur und Verfahren zum Herstellen derselbigen

Die Erfindung betrifft eine vertikale Verbindungshalbleiter-Struktur (100) mit einem Substrat (10) mit einer ersten Hauptoberfläche (11) und einer gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche (12), einer vertikalen Kanalöffnung (13), die sich zwischen der ersten Hauptoberfläche (11) und der zweiten Hauptoberfläche (12) vollständig durch das Substrat (10) hindurch erstreckt, und einem innerhalb der vertikalen Kanalöffnung (13) angeordneten Schichtstapel (20). Der Schichtstapel (20) weist eine innerhalb der vertikalen Kanalöffnung (13) angeordnete elektrisch leitfähige Schicht (31) und eine innerhalb der vertikalen Kanalöffnung (13) angeordnete Verbindungshalbleiter-Schicht (21) auf. Die Verbindungshalbleiter-Schicht (21) weist einen auf der elektrisch leitfähigen Schicht (31) angeordneten und mit der elektrisch leitfähigen Schicht (31) galvanisch verbundenen Verbindungshalbleiter auf. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer derartigen vertikalen Verbindungshalbleiter-Struktur (100).