Untersuchungen zur Temperaturabhängigkeit des Widerstandsverhaltens memristiver Bauelemente auf der Basis von TiO2

Es wurden digital und analog schaltende Memristoren in Form von Titandioxid zwischen Aluminium- und / oder Platin-Elektroden hergestellt. Bei digitalen Memristoren verursachte ein Temperaturanstieg ein spontanes, zurücksetzbares Schalten des elektrischen Widerstands, ein hoher Strom eine lokale Migration des Bottom-Elektroden-Materials auf die Top-Elektrode. Simulationen (Kooperation mit Politecnico di Milano) konnten ersteren Effekt durch inhomogene Ionen-Diffusion und unterschiedliche Ionenmigrations-Aktivierungsenergien im TiO2 erklären.

Digital and analogue switching memristors were produced in form of titanium dioxide between aluminium and / or platinum electrodes. In the case of digital memristors, an increase in temperature caused a spontaneous, resettable switching of the electrical resistance, while a high current caused a local migration of the bottom electrode material to the top electrode. Simulations (cooperation with Politecnico di Milano) could explain the former effect by inhomogeneous ion diffusion and different ion migration activation energies in TiO2.