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Fraunhofer-Gesellschaft
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  3. Konferenzschrift
  4. Doping-related photoluminescence spectroscopy in 4H-SiC
 
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Options
2021
Poster
Title

Doping-related photoluminescence spectroscopy in 4H-SiC

Title Supplement
Poster presented at European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2020/2021, October 24th-28th, 2021, Tours, France
Author(s)
Kallinger, Birgit  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Schlichting, Holger  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Kocher, Matthias  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Rommel, Mathias  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Berwian, Patrick  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Project(s)
FMD
Funder
Bundesministerium für Bildung und Forschung BMBF (Deutschland)  
Bundesministerium für Bildung und Forschung BMBF (Deutschland)  
Bundesministerium für Bildung und Forschung BMBF (Deutschland)  
Conference
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2021  
File(s)
Download (717.92 KB)
Rights
Use according to copyright law
DOI
10.24406/publica-fhg-413365
Language
English
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Keyword(s)
  • semiconductor

  • silicon carbide

  • UVPL

  • defects

  • ion implantation

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